特許
J-GLOBAL ID：200903043824271484

酸化チタン膜の成膜方法

発明者：
大西 正司

大西 正司 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-032373
公開番号（公開出願番号）：特開2003-231966
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2003年08月19日
要約：
【要約】【課題】 汎用のスパッタリング設備を用いて建築用、車両用、電子材料用、光学用等の各種用途に利用可能な酸化チタン膜を成膜する場合に、高価な酸化チタンターゲットを用いずに安価な金属チタンターゲットを用いて高速で安定して成膜すること。【解決手段】 基材表面に、金属チタンのターゲットを用いてスパッタリング法により酸化チタン膜を成膜するにおいて、体積%換算で酸素が5〜25%、アルゴンと窒素の合計量が75〜95%よりなるガス条件で成膜し、好ましくは窒素ガス量≧アルゴンガス量、膜中に3〜30原子%の窒素原子を含有させた酸化チタン膜を被覆すること。
請求項（抜粋）：
基材表面に、金属チタンのターゲットを用いてスパッタリング法により酸化チタン膜を成膜するにおいて、体積%換算で酸素が5〜25%、アルゴンと窒素の合計量が75〜95%よりなるガス条件のもとで成膜し、膜中に3〜30原子%の窒素原子を含有させた酸化チタン膜を被覆することを特徴とする酸化チタン膜の成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C03C 17/245 ,  C03C 17/36 ,  C23C 14/08
FI (4件)：
C23C 14/34 M ,  C03C 17/245 A ,  C03C 17/36 ,  C23C 14/08 E
Fターム (26件)：
4G059AA01 ,  4G059AA08 ,  4G059AA11 ,  4G059AB09 ,  4G059AC06 ,  4G059AC21 ,  4G059DA01 ,  4G059DB02 ,  4G059EA04 ,  4G059EA12 ,  4G059EB04 ,  4G059GA01 ,  4G059GA04 ,  4G059GA14 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA04 ,  4K029BA17 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BC01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB03 ,  4K029DC39 ,  4K029EA05 ,  4K029GA01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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