特許

J-GLOBAL ID：200903089993250640

酸化窒化チタン膜評価法と配線形成法

発明者： 日比野 三十四
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023858
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214391
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 TiON膜の酸化度判定を非破壊で正確に行なう。【解決手段】 反応性スパッタ法等によりTiON膜24a又は30aを形成した後、TiON膜24a又は30aの屈折率等の光学定数を測定する。波長700[nm]の光に対する屈折率Nが1.5≦N≦2.5の範囲内にあると、抵抗率、反射率、バリア性及びWとの密着性がいずれも十分となる。従って、屈折率が上記範囲内になる条件でTiON膜24a又は30aを形成するか又はTiON膜24a又は30aを形成した後屈折率が上記範囲内にあるものを選択すると、Wプラグ26aのための密着膜として好適なTiON膜24aが得られると共に、Al系金属層28aからの光反射を抑制するための反射防止膜として好適なTiON膜30aが得られる。

請求項（抜粋）：

基板を覆って酸化窒化チタン膜を形成するステップと、前記酸化窒化チタン膜の光学定数を測定するステップと、前記光学定数の測定結果に基づいて前記酸化窒化チタン膜の酸化度を判定するステップとを含む酸化窒化チタン膜評価法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  G01N 21/41 ,  G01N 21/55 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

H01L 21/88 S ,  G01N 21/41 Z ,  G01N 21/55 ,  H01L 21/28 C ,  H01L 21/66 Q

引用特許：

出願人引用 (3件)

• スパツタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197239   出願人：ソニー株式会社
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-228363   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭63-000474
  

審査官引用 (3件)

• スパツタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-197239   出願人：ソニー株式会社
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-228363   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭63-000474