特許
J-GLOBAL ID：200903043824719639
半導体装置用インダクタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-267824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087619
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】従来、半導体基板上の絶縁膜上に設けられ、薄膜状の配線で構成される半導体装置用インダクタにおいては、特にGHz帯程度以上の高周波帯では、配線厚さによるQ特性の改善には難点があった。この問題を解消したQ特性の改善に効果のある半導体装置用インダクタを提供する。【解決手段】絶縁膜及び配線よりなる層を多層に形成し、前記各層のコイル部配線は、該配線の一部分又は全域を同一パターンとして各層の同位置に形成し、且つ前記により同一パターンとした配線部分の両端部に、各層間を連結するビアホールを設け配線接続した。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、絶縁膜と該絶縁膜の上に形成した薄膜配線とよりなる層を、多層に形成してなる半導体装置用インダクタにおいて、前記各層に設ける配線のコイル部は、該コイル部の一部分又は全域を同一パターンとして各層の同位置に形成し、且つ前記により同一パターンとした配線部分の両端部に、各層間を連結するビアホールを設け、配線接続してなることを特徴とする半導体装置用インダクタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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