特許
J-GLOBAL ID：200903070169303197
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341515
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181264
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】配線抵抗を低減することによりQの値を向上することができるスパイラル型インダクタ素子を具備する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の一主面上に形成されたスパイラル状の第1の導電膜パターン1と、層間絶縁膜102に設けられたコンタクトホール3を通して第1の導電膜パターン1とのみに電気的に接続されかつ第1の導電膜パターン1に重畳して延在する孤立状の第2の導電膜パターン2とを有してインダクタ素子を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成されたスパイラル状の第1の導電膜パターンと、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを通して前記第1の導電膜パターンに電気的に接続されかつ該第1の導電膜パターンに重畳して延在する孤立状の第2の導電膜パターンとを有して構成されたインダクタ素子を具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01F 17/00
H01L 27/04 L
, H01F 17/00 D
