特許
J-GLOBAL ID：200903043835756978
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352757
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168231
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 機械的な衝撃から半導体チップを保護することができ、信頼性を向上させた半導体装置を低い製造コストで提供する。【解決手段】 素子電極11が配列された主面10aと側面10bとを有する半導体素子10と、主面10a上および側面10b上に形成された絶縁層20と、絶縁層20上に形成され、素子電極11と電気的に接続された配線層33と、配線層33の一部として絶縁層20上に形成された外部電極32とを備える半導体装置100である。半導体装置100は、ウェハレベルCSPとして製造可能な構成をしており、絶縁層20によって半導体素子10の側面10bが保護された構成をしている。
請求項（抜粋）：
素子電極が配列された主面と、前記主面の外縁を規定する側面とを有する半導体素子と、前記半導体素子の前記主面上および前記半導体素子の前記側面上に形成され、前記素子電極を露出する開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記開口部内において前記素子電極と電気的に接続された配線層と、前記配線層の一部として前記絶縁層上に形成された外部電極とを備える半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/12 L
