半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291015
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135021
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】高抵抗の拡散層からなるオフセット領域での抵抗値変動による特性変動を低減し、安定した信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ドレイン領域6と接続したドレイン電極20をドレイン領域6の周囲の少なくとも一部または全域において、ソース領域5とドレイン領域6との間にあるオフセット領域7上に突き出した構成にすることにより、ドレイン電極20への高電圧印加時にN型エピタキシャル層2の空乏層の広がりを少なくした。これにより、オン抵抗などの特性の変動を低減することができる。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域と、ソース領域と、前記ドレイン領域と前記ソース領域の間に設けたオフセット領域と、半導体基板上の絶縁膜のコンタクト窓を介して前記ドレイン領域と接続するドレイン電極とを備え、前記ドレイン領域上の少なくとも一部で前記ドレイン電極が前記絶縁膜を介して前記オフセット領域上に突き出したことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭54-109385
特開昭50-133779
高耐圧MIS電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-025109 出願人：富士電機株式会社

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