特許
J-GLOBAL ID：200903043840666812
窒化物半導体膜の製造方法および窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325327
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134422
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体とは異なる材料の基板と、窒化物半導体との熱膨張係数差を緩和し、歪の低減された窒化物半導体膜を製造する方法および、歪の低減された窒化物半導体基板を製造する方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体より熱膨張係数が大きな層の両側に、窒化物半導体より熱膨張係数が小さな層を設置した複合基板を用い、その上に窒化物半導体を成長する。具体的には、サファイア基板の両主面にシリコンを貼り合わせた複合基板の1主面上に窒化物半導体を成長する。さらに、シリコン基板をエッチングで除去して窒化物半導体基板を得る。
請求項（抜粋）：
第1の熱膨張係数α1を有する第1の層の一方の主面上に第2の熱膨張係数α2を有する第2の層が形成され、かつ、前記第1の基板の他方の主面上に第2の熱膨張係数α2を有する第3の層が形成された複合基板上の少なくとも一主面に、熱膨張係数がαNである窒化物半導体を成長する工程を有し、前記第1の熱膨張係数α1は前記窒化物半導体の熱膨張係数αNより大きく、前記第2の熱膨張係数α2は前記窒化物半導体の熱膨張係数αNより小さいことを特徴とする、窒化物半導体膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
5F041AA40
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB02
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AD14
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB11
, 5F045DA52
, 5F045DA69
, 5F045DQ08
, 5F045EB13
, 5F045HA14
