特許
J-GLOBAL ID:200903043901446047

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-010153
公開番号(公開出願番号):特開2001-196394
出願日: 2000年01月14日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子とリードフレームとの線膨張係数の違いによって発生する熱応力に起因する半導体素子の破壊を防止することの可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 リードフレーム2のアイランド2a上に導電性接着剤3を用いてチップ1を搭載したものから構成される半導体装置において、導電性接着剤3の厚みyとチップ1の表面歪みとの関係を、チップサイズxを変化させて実験やシュミレーションから求め、チップサイズxと導電性接着剤3の厚みyとの関係において、チップ1が破壊しない条件を求めた。
請求項(抜粋):
xmm角の半導体素子(1)が導電性接着剤(3)を介してリードフレーム(2)のアイランド(2a)上に搭載された半導体装置において、前記半導体素子(1)のサイズx(mm)と前記導電性接着剤(3)の厚みy(μm)とが、【数1】y≧0.0476・x3-0.8643・x2+6.931・x-12.5を満足するような関係にあることを特徴とする半導体装置。
FI (2件):
H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 B
Fターム (5件):
5F047AA11 ,  5F047BA21 ,  5F047BA51 ,  5F047BA53 ,  5F047BA54
引用特許:
審査官引用 (4件)
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