特許

J-GLOBAL ID：200903043928346966

CPP磁気抵抗効果素子及びその製造方法、CPP磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置

発明者： 長坂 恵一 ,  瀬山 喜彦 ,  大島 弘敬 ,  清水 豊 ,  田中 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372423
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207366
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】抵抗変化率が高く高感度な、高密度記録に適したCPP磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びにCPP磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置を提供する。【解決手段】CPP(Current Perpendicular to Plane)磁気抵抗効果素子において、固定磁化層28と自由磁化層33との間に、下側非磁性中間層29及び上側非磁性中間層32を介して、磁性中間層30及び酸化絶縁層31を設けた構造とする。酸化絶縁層31の電流狭窄効果と磁性中間層30/下側非磁性中間層29との磁性/非磁性界面BD1での界面散乱効果により抵抗変化率を向上させることができる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

自由磁化層と、固定磁化層と、前記自由磁化層と固定磁化層との間に形成された複数の導電性の非磁性中間層とを有し、 前記複数の非磁性中間層のうちいずれか2つの非磁性中間層間に、絶縁層及び磁性原子を含む磁性層を有することを特徴とするCPP磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

FI (7件)：

H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/14 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Fターム (8件)：

5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA06 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-322041   出願人：株式会社東芝
• CPP構造スピンバルブヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-349106   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-093358   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-316799   出願人：株式会社東芝