特許
J-GLOBAL ID：200903044005456242
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014904
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214820
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 近年の半導体装置の微細化に伴って、検討されている多層構造マスク形成においてパターン寸法精度の問題点を解決するため、第1層である有機レジスト材料層の第2層のSi-O結合を有する材料層に対するエッチング選択性を高め、感光層である第2層のSi-O結合を有する材料層の薄膜化を可能とすることで、寸法変化の少ない高精度、高アスペクト比の多層構造マスク形成を実現する必要があった。【解決手段】 プラズマエッチング装置で、Si-O結合を有する材料層をマスクとして、有機レジスト材料層をドライエッチングする時に、エッチングガスによるプラズマ発光の第1の波長及び第2の波長の発光強度を測定し、前記第2の波長の発光強度に対する前記第1の波長の発光強度の比を求め、前記発光強度比に基づいてプラズマの状態を制御することによって高精度の加工のできるパターン形成方法を行う。
請求項（抜粋）：
Si-O結合を有する材料層をマスクとして、有機レジスト材料層を酸素ガスのプラズマでドライエッチングするパターン形成方法であって、前記酸素ガスによるプラズマ発光の第1の波長及び第2の波長の発光強度を測定し、前記第2の波長の発光強度に対する前記第1の波長の発光強度の比を求め、前記発光強度比に基づいて前記プラズマの状態を制御してドライエッチングを行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3213
H01L 21/302 E
, H01L 21/88 D
