特許

J-GLOBAL ID：200903044026254160

ダミーリードを用いた高速LSI半導体装置およびその信頼性改善方法

発明者： 沼田 乾
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169169
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045936
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 進歩した信頼性を備えた金属リード14を有する半導体装置を得る。【構成】 基板12上の金属リード14、少なくとも金属リード14間の低誘電率材料、および、金属リード14に近接したダミーリード16を含む。金属リード14からの熱はダミーリード16へ伝達でき、ダミーリード16はその熱を放散させることができる。低誘電率材料18は3.5よりも低い誘電率を有する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の金属リードの信頼性を高めるための方法であって、基板上へ少なくとも2本の金属リードを形成すること、前記金属リードに近接してダミーリードを形成すること、および少なくとも前記金属リード線間に低誘電率材料を堆積させること、の工程を含み、それによって前記金属リードからの熱が前記ダミーリードへ伝達、放散でき、ここにおいて前記低誘電率材料が3.5よりも低い誘電率を有している方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/90 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225927   出願人：川崎製鉄株式会社
• 多層配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066501   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭61-255036
  
• 特開昭61-255036