特許

J-GLOBAL ID：200903044029343503

III族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 上村 俊也 ,  中條 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075965
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【目的】 簡易な方法で歩留まりよくIII族窒化物系化合物半導体素子を製造するために新規な清浄化処理方法を提供する。【構成】 エキシマランプから放出される172nmに中心波長を有する紫外線をウエハ表面に照射して、フォトレジスト残渣などの有機系汚染物を酸化除去して清浄化処理を行う。

請求項（抜粋）：

ウエハ表面に紫外線を照射して該ウエハ表面を清浄化処理する工程を含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (28件)：

5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB04 ,  5F004BB05 ,  5F004BD01 ,  5F004DB19 ,  5F004DB26 ,  5F041AA05 ,  5F041AA31 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F046MA13 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049PA20 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-060118   出願人：ウシオ電機株式会社
• 半導体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273122   出願人：松本智, ウシオ電機株式会社
• 誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-032529   出願人：ウシオ電機株式会社