特許

J-GLOBAL ID：200903044059113731

半導体装置の製造方法

発明者： 駒田 大輔 ,  各務 克巳
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312883
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124189
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 エッチングストッパ膜やハードマスクの材料としてSiCを用いた場合に、このエッチングストッパ膜やハードマスクを容易に除去することが可能なエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に、シリコンカーバイドとはエッチング耐性の異なる材料からなる第1の膜を形成する。第1の膜の上に、水素を含有するシリコンカーバイドからなる第2の膜を形成する。第2の膜の上に、開口を有するレジスト膜を形成する。フロロカーボンガスに、SF6及びNF3の少なくとも一方のガスを加えた混合ガスを用い、レジスト膜をマスクとして、第2の膜をドライエッチングする。第2の膜をマスクとして、第1の膜をエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、シリコンカーバイドとはエッチング耐性の異なる材料からなる第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜の上に、水素を含有するシリコンカーバイドからなる第2の膜を形成する工程と、前記第2の膜の上に、開口を有するレジスト膜を形成する工程と、フロロカーボンガスに、SF6及びNF3の少なくとも一方のガスを加えた混合ガスを用い、前記レジスト膜をマスクとして、前記第2の膜をドライエッチングする工程と、前記第2の膜をマスクとして、前記第1の膜をエッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

Fターム (101件)：

4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD72 ,  4M104DD75 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F004AA05 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004EA03 ,  5F004EA23 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-342031   出願人：日本電気株式会社
• エッチング方法、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-117680   出願人：松下電器産業株式会社