特許
J-GLOBAL ID：200903050624445360

エッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置

発明者：
上田 靖彦

上田 靖彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-342031
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160547
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】SiO2やSi3N4等の無機系の層間膜、有機系のARCや層間膜、導電膜に対して高いエッチング選択比を有するエッチングマスク及びエッチングマスクを用いたコンタクトホールの形成方法並びにその方法で形成した半導体装置の提供。【解決手段】無機又は有機絶縁物からなる層間膜(図2の20、23)を介して配設される配線を接続するためのコンタクトホール形成に際し、層間膜上に無機及び有機絶縁物のいずれに対しても高いエッチング選択比を有するシリコンカーバイド(図2の21)の薄膜を堆積し、その上に形成したレジストパターン(図2の22)を用いてシリコンカーバイドのマスクパターンを形成した後、シリコンカーバイドをマスクとして層間膜をエッチングすることによって、アスペクト比の大きいコンタクトホールをマスク寸法通りに形成する。
請求項（抜粋）：
層間膜を挟んで配設される配線層を接続するためのコンタクトホールの形成に用いられるエッチングマスクであって、前記エッチングマスクがシリコンカーバイドからなることを特徴とするエッチングマスク。
Fターム (22件)：
5F004AA04 ,  5F004BA04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004EA03 ,  5F004EA22 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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