特許
J-GLOBAL ID：200903044077378793

発光装置及びその作製方法

発明者：
小沼 利光

小沼 利光 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274037
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084683
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 アクティブマトリクス型の発光装置において、電極上に形成される有機化合物層の成膜不良及び劣化を防ぐ素子構造を提供する。【解決手段】 発光素子の電極となる導電体105の端部を覆うように絶縁膜106を形成した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて研磨し、第1の電極105及び平坦化絶縁層106の表面が同一平面を有する構造を形成する。これにより、電極上に形成される有機化合物層の成膜不良及び電極の端部からの電界集中を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタを覆って絶縁層を形成し、前記絶縁層を介して配線を形成し、前記絶縁層上に前記配線により前記薄膜トランジスタと電気的に接続された導電体を形成し、前記導電体を覆って絶縁膜を形成し、前記導電体及び前記絶縁膜をCMP法により研磨して第1の電極及び平坦化絶縁層を形成し、前記第1の電極と接して有機化合物層を形成し、前記有機化合物層と接して第2の電極を形成する発光装置の作製方法であって、前記CMP法により形成された前記第1の電極及び前記平坦化絶縁膜が同一平面を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
IPC (8件)：
G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 348 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/28
FI (8件)：
G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 348 C ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/28
Fターム (53件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB03 ,  3K007BB04 ,  3K007BB05 ,  3K007BB07 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007CB03 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007GA04 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA25 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FA04 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435HH01 ,  5G435HH12 ,  5G435HH14 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM