特許
J-GLOBAL ID：200903044081738176

電波吸収体

発明者：
工藤 敏夫

工藤 敏夫 について

, 
三ツ井 孝禎

三ツ井 孝禎 について

, 
細谷 勝宜

細谷 勝宜 について

, 
柏原 一之

柏原 一之 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-217055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063587
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】誘電体の材料への依存性を減じて電波吸収特性を制御し得るような構成の電波吸収体を提供すること、特に、そのような構成によって、透明であり、かつ、斜入射特性の良好な電波吸収体を提供すること。【解決手段】第1の抵抗膜1(表面抵抗率r1)と、第1の誘電体層2(厚さd1、誘電率ε1)と、第2の抵抗膜3(表面抵抗率r2)と、第2の誘電体層4(厚さd2、誘電率ε2)とをこの順に有していて、吸収を意図する電波の中心波長をλとするとき、r1が0.01Ω/□〜40Ω/□であり、さらに、r2とd1×√(ε1)+d2×√(ε2)が所定の関係を満たす電波吸収体。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の抵抗膜(表面抵抗率r1)と、第1の誘電体層(厚さd1、誘電率ε1)と、第2の抵抗膜(表面抵抗率r2)と、第2の誘電体層(厚さd2、誘電率ε2)とをこの順に有していて、吸収を意図する電波の中心波長をλとするとき、 r1が0.01Ω/□〜40Ω/□であり、かつ、 下記〔1〕〜〔11〕の少なくとも一つを満たす電波吸収体。 〔1〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.280λ〜0.300λであり、かつ、r2が320Ω/□〜620Ω/□である。 〔2〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.300λ〜0.310λであり、かつ、r2が280Ω/□〜510Ω/□である。 〔3〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.310λ〜0.325λであり、かつ、r2が240Ω/□〜430Ω/□である。 〔4〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.325λ〜0.350λであり、かつ、r2が210Ω/□〜360Ω/□である。 〔5〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.350λ〜0.375λであり、かつ、r2が165Ω/□〜270Ω/□である。 〔6〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.375λ〜0.400λであり、かつ、r2が150Ω/□〜240Ω/□である。 〔7〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.400λ〜0.425λであり、かつ、r2が135Ω/□〜215Ω/□である。 〔8〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.425λ〜0.600λであり、かつ、r2が105Ω/□〜190Ω/□である。 〔9〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.600λ〜0.650λであり、かつ、r2が135Ω/□〜200Ω/□である。 〔10〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.650λ〜0.680λであり、かつ、r2が150Ω/□〜220Ω/□である。 〔11〕d1×√(ε1)+d2×√(ε2)が0.680λ〜0.710λであり、かつ、r2が190Ω/□〜255Ω/□である。
IPC (1件)：
H05K9/00
FI (1件)：
H05K9/00 M
Fターム (3件)：
5E321BB23 ,  5E321BB60 ,  5E321GG11
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM