特許

J-GLOBAL ID：200903044100614688

半導体記憶装置

発明者： 宇佐美 雅
出願人/特許権者： 日本モトローラ株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331509
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167296
出願日： 1994年12月08日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 セルトランジスタの閾電圧Vthを容易に、かつ、安価に測定することのできる半導体記憶装置を提供すること。【構成】 所定のデータを記憶保持する複数のセルトランジスタCを有し、予め設定された動作電圧Vddにより動作する半導体記憶装置1において、通常動作時には、前記各セルトランジスタCのコントロールゲート-ソース間に対して前記動作電圧Vddを印加し、試験動作時には、前記各セルトランジスタCのコントロールゲート-ソース間に対して該動作電圧Vddよりも低電位の試験電圧Vccを動作電圧Vddと独立して印加するように構成する。

請求項（抜粋）：

所定のデータを記憶保持する複数のセルトランジスタを有し、予め設定された動作電圧Vddにより動作する半導体記憶装置において、通常動作時には、前記各セルトランジスタのコントロールゲート-ソース間に対して前記動作電圧Vddを印加し、試験動作時には、前記各セルトランジスタのコントロールゲート-ソース間に対して該動作電圧Vddよりも低電位の試験電圧Vccを動作電圧Vddと独立して印加することを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-070291   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 特開昭63-302496
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249957   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-026900