薄膜半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222587
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064836
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】半導体薄膜に対するレーザビームの照射を安定に行なうと共に、その結晶化及び不純物の活性化を同時に図る。【構成】先ず絶縁基板1上に半導体薄膜2を形成する成膜工程を行なう。次に、半導体薄膜2に規定された多数の素子領域に対して一連の処理を施こし多数の薄膜トランジスタを形成する加工工程を行なう。この際、一連の処理の途中段階で、半導体薄膜2が多数の素子領域に渡って連続している状態の時、レーザビームを照射して半導体薄膜2を結晶化する照射工程を行なう。この照射工程は半導体薄膜2に対する不純物注入処理の後段階で行なわれ、チャネル部chに含まれる半導体薄膜2の結晶化と同時にソース部S及びドレイン部Dに注入された不純物の活性化を図る。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜に規定された多数の素子領域に対して一連の処理を施し多数の薄膜トランジスタを形成する加工工程と、該一連の処理の途中段階で該半導体薄膜が多数の素子領域に渡って連続している状態の時エネルギービームを照射して該半導体薄膜を結晶化する照射工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-069870 出願人：カシオ計算機株式会社
特開平4-299534
特開平4-313272

全件表示

前のページに戻る