単結晶薄膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153105
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007953
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】半導体単結晶基板を短時間に昇降温でき、スリップの発生が抑制された高品質な単結晶薄膜が得られる単結晶薄膜の製造方法を提供する。【構成】コールドウォール式の反応容器内に実質的に加熱能力の無い保持具を用いて半導体単結晶基板を載置し、一方向に反応ガスを流しながら、該反応ガスの流れ方向に対する前記半導体単結晶基板の温度分布を均一に保ち、該半導体単結晶基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

コールドウォール式の反応容器内に実質的に加熱能力の無い保持具を用いて半導体単結晶基板を載置し、一方向に反応ガスを流しながら、該反応ガスの流れ方向に対する前記半導体単結晶基板の温度分布を均一に保ち、該半導体単結晶基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とする単結晶薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/10

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/10

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板反応炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-177494 出願人：国際電気株式会社, 株式会社日立製作所
特開昭60-161616
特開平4-367238

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