特許
J-GLOBAL ID：200903044178995769
半導体ウェハの切断方法および半導体ウェハの切断方法で使用される保護シート
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-359051
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193305
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体ウェハの切断方法および半導体ウェハの切断方法で使用される保護シートを提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ6をプラズマエッチングによって切断する半導体ウェハの切断方法において、絶縁シート30aの片面にプラズマエッチングされにくい金属層30bが形成された保護シート30を粘着層30cによって回路形成面6aに貼付け、回路形成面6aの反対側に切断線31bを除く領域をレジスト膜31aで覆って形成されたマスク側からプラズマを照射して切断線の部分をプラズマエッチングする。これにより、金属層をエッチングの進行を抑制するエッチングストップ層として利用することができ、エッチング進行のばらつきを排除して保護シートへの熱ダメージを防止することができる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1の面側に半導体素子が形成された半導体ウェハを前記第1の面と反対側の第2の面よりプラズマエッチングによって切断する半導体ウェハの切断方法であって、前記第1の面に保護シートを貼付けるシート貼付け工程と、前記第2の面に半導体ウェハの切断線を定めるマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスク側から前記半導体ウェハにプラズマを照射して前記切断線の部分をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程とを含み、前記保護シートは、基材となる絶縁シートの片面に半導体ウェハよりもプラズマエッチングされにくい金属層が形成されており、前記シート貼付け工程において、前記金属層側を前記第1の面に粘着層を介して貼付けることを特徴とする半導体ウェハの切断方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/78 S
, H01L21/302 101B
, H01L21/78 M
5F004AA01
, 5F004AA06
, 5F004DA18
, 5F004DB01
, 5F004EA23
, 5F004EB08
