集積回路

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062377
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260592
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】ゲート駆動型半導体素子を制御する集積回路において、低コストで、温度依存性が少ない電流検出を可能とすること。【解決手段】IGBT1は負荷4と接続し、電流検出用のセンスIGBT2の補助エミッタ端子3は電流検出用抵抗であるセンス抵抗6と接続し、点線内のIGBT1を制御する集積回路5には、ゲート駆動回路9、電流検出器8、基準電圧回路7およびセンス抵抗6が内蔵されている。センス抵抗6と基準電圧回路7が同一半導体基板上に形成されるため、センス抵抗6で発生する電圧と基準電圧との差は温度依存性が極めて小さくなる。外付けセンス抵抗が不要となり、低コスト化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子を制御する集積回路において、該半導体素子に流れる電流を検出するための電流検出用抵抗が形成されることを特徴とする集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , G01R 19/00 , G01R 31/28 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/04 F , G01R 19/00 A , G01R 31/28 V , H01L 29/78 655 Z , H01L 29/78 657 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-253948 出願人：日本電装株式会社
特開昭63-213370
特開昭63-012175

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