半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219987
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064938
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】ダマシンプロセスによるデバイスのボンディング不良をなくす。【解決手段】ボンディングパッド21は、格子状に形成されている。パッシベ-ション層22の直下には、エッチングストッパ層が配置されている。パッシベ-ション層22及びエッチングストッパ層には、ボンディングパッド21上に開口23が設けられている。格子状のボンディングパッド21の間には、絶縁層27が満たされている。ボンディングワイヤは、格子状のボンディングパッド21に結合される。

請求項（抜粋）：

表面が平坦な絶縁層の溝内に満たされた導電体によりボンディングパッドが構成される半導体装置において、前記絶縁層上に形成され、前記ボンディングパッド上に開口を有するエッチングストッパ層と、前記エッチングストッパ層上に形成され、前記ボンディングパッド上に開口を有するパッシベ-ション層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/60 301 A , H01L 21/88 T

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭62-174934
特開平3-083352
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-107805 出願人：日本電気株式会社

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