半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045933
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】半導体装置及びその製造方法に関し、研磨法により導電性膜を溝内に埋め込む際に、埋め込み配線層或いは埋め込みボンディングパッドにおける窪みの発生を防止し、それによって導電性膜の断線を防止する。【構成】シリコン半導体基体1上に設けた絶縁膜15に、埋め込み導電性パターン16の内部に非導電性領域8が存在するように前記導電性パターン16に対応する溝を形成し、前記溝を含めた全面に導電性膜を堆積させ、次いで、研磨法により前記溝部以外の前記導電性膜を除去して前記埋め込み導電性パターン16を形成する。

請求項（抜粋）：