半導体装置作製方法及び薄膜半導体装置作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257414
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139370
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な界面を得る。【解決手段】水素ラジカルならびに水素イオンなどの活性化した水素を、プラズマ法または触媒法によって形成し、それによって基板上の被積層形成面上の炭素の一重結合を含む汚染物を、そのラジカル等によってガス化して除去する。

請求項（抜粋）：

積層形成を行う半導体装置製造方法において、積層形成をする前に、活性化した水素によって、被積層形成面上の少なくともその一部において炭素の一重結合を含む汚染物を減少させ、その後前記被積層形成面上に前記積層形成を行うことを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/304 341 D , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-096226
特開昭63-038233
特開昭59-011629

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