半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088829
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274312
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート等が支持基板として半導体素子が実装された半導体装置がある。しかしこれらの支持基板は、本来必要でなく余分な材料である。しかも支持基板の厚みが、半導体装置を大型化にする問題もあった。【解決手段】第1の導電路51Aは、半導体素子52Aが低く配置できるように溝54Aが形成され、導電路51、半導体素子52が絶縁性樹脂50に支持されて半導体装置が実現されている。従って金属細線55Aの頂部を低くでき、半導体装置53の厚みを薄くすることができ、更には溝の周囲に側壁を形成することにより半導体素子に到達する湿気のパスも長くできる。

請求項（抜粋）：

分離溝で電気的に分離された複数の導電路と、第1の導電路に裏面が固着された半導体素子と、前記半導体素子の電極が金属細線を介して接続された第2の導電路と、前記半導体素子を被覆し且つ前記導電路間の前記分離溝に充填され前記導電路の裏面を露出して一体に支持する絶縁性樹脂とを備え、前記第1の導電路には、溝が形成され、その溝に前記半導体素子が固着される事を特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/50 , H01L 23/12 , H01L 23/28 , H01L 25/00

FI (6件)：

H01L 23/50 R , H01L 23/50 K , H01L 23/50 U , H01L 23/28 E , H01L 25/00 B , H01L 23/12 L

Fターム (28件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA07 , 4M109CA10 , 4M109CA21 , 4M109DB02 , 4M109EA02 , 4M109EA07 , 4M109EA13 , 4M109GA02 , 5F067AA01 , 5F067AA03 , 5F067AA04 , 5F067AA05 , 5F067AA11 , 5F067AB04 , 5F067BC12 , 5F067BE02 , 5F067BE03 , 5F067CA04 , 5F067DA01 , 5F067DA16 , 5F067DC16 , 5F067DC17 , 5F067DC18 , 5F067EA02 , 5F067EA04 , 5F067EA06

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法、半導体装置用導電性板および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-262124 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平2-240940
電子部品パッケージ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-299917 出願人：株式会社村田製作所

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