特許
J-GLOBAL ID：200903044267641792

ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-151592
公開番号（公開出願番号）：特開2008-052254
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】従来のヒドロキシスチレン系、ノボラック系のネガ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示されるヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 【化47】【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、下記一般式(1)で示されるヒドロキシビニルナフタレンの繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。
IPC (3件)：
G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14
FI (3件)：
G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14
Fターム (47件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB08 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB13 ,  2H025CB17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J100AB00Q ,  4J100AB02Q ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100AE38R ,  4J100AJ02Q ,  4J100AK31Q ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR09S ,  4J100AR10Q ,  4J100AR10S ,  4J100AR11Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA15R ,  4J100BB07R ,  4J100BB17R ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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