光学素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149209
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331108
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】出力光の広がり角を小さくしてファイバ等への結合効率向上を可能とした光学素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 n型InP基板1上に、n型下部クラッド層3、i型InGaAsP活性層4bを含むInGaAsP光導波路層4、及びp型InP上部クラッド層5が順次形成され、上部クラッド層5及び光導波路層4がストライプ状にパターニングされてその側部に電流ブロック層7が形成されたBH構造を有し、基板の劈開により形成されて光導波路層4の先端部9が露出する光出射端面8を有するDFBレーザであって、光出射端面8に露出する光導波路層4の先端部9をInPエッチングにより突出させた。

請求項（抜粋）：

クラッド層により囲まれた光導波路層を有し、前記光導波路層の先端部が露出する光出射端面を有する光学素子において、前記光導波路層の先端部を前記クラッド層のエッチングにより突出させたことを特徴とする光学素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-081689
特開昭55-107289
光半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-341706 出願人：キヤノン株式会社

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