特許
J-GLOBAL ID：200903044280550445
低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
新保 斎
, 渡邊 敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-322038
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093553
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】 III-V族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるIII-V族化合物半導体上に形成する。【解決手段】 III-V族量子ドットの格子定数に対して3%以下の格子不整合率の格子定数であるIII-V族化合物半導体上に、III-V族量子ドットを構成するV族元素の分子線を桁数にして10-7Torrの条件において照射することによって、III-V族量子ドットを成長させて形成する。III-V族量子ドットが、InおよびAsを主たる構成元素とするInAs系量子ドットであり、III-V族化合物半導体が、Sbおよび、Al、Gaの少なくともいずれか一方の元素を主たる構成元素とするAlGaSb系化合物半導体とし、AlGaSb系化合物半導体上に、温度条件が約500°C、As分子線を3.0×10-7〜7.0×10-7Torrで照射することによって、InAs系量子ドットを成長させて形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
III-V族量子ドットの格子定数に対して3%以下の格子不整合率の格子定数であるIII-V族化合物半導体上に、III-V族量子ドットを構成するV族元素の分子線を桁数にして10-7Torrの条件において照射することによって、III-V族量子ドットを成長させて形成することを特徴とする低格子不整合系における量子ドットの形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
5F073AA75
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA06
, 5F103AA04
, 5F103BB02
, 5F103BB08
, 5F103DD03
, 5F103DD30
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103HH08
, 5F103LL02
, 5F103LL03
, 5F103LL17
, 5F103LL20
, 5F103NN02
