特許
J-GLOBAL ID：200903044290550516
デュアル・ダマスク技術
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186274
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 エッチング損傷を防止し、限界寸法の変動を小さくするデュアル・ダマスク技術を提供する。【解決手段】 本発明のデュアル・ダマスク技術においては、デュアル・ダマスクの幅の狭い開口及び幅の広い開口のそれぞれの所定領域に、第1及び第2のフォトレジスト層を予め形成する。HSQ層34及びその頂部に設けられる酸化物層36から成る複合層37が、第1及び第2のフォトレジスト層の周囲にそれぞれ形成される。フォトレジスト層を除去した後に、残った開口42に接着剤/バリヤ層及び金属層40を充填する。
請求項（抜粋）：
デュアル・ダマスク技術であって、配線に接触されるのが望ましい領域が既に形成されている基板を準備する工程と、第1のパターンを有する第1のフォトレジスト層を形成し、該第1のフォトレジスト層を前記領域に十分に接触させる工程と、均一な表面を有する第1の絶縁層を形成し、該第1の絶縁層の高さを前記第1のフォトレジスト層の高さとほぼ同じにする工程と、前記第1のパターンの断面積よりも十分に幅の広い断面積を有する第2のパターンを有する第2のフォトレジスト層を形成し、該第2のフォトレジスト層を前記第1のフォトレジスト層と十分に接触させる工程と、均一な表面を有する第2の絶縁層を形成し、該第2の絶縁層を前記第2のフォトレジスト層の高さとほぼ同じにする工程と、前記第1のフォトレジスト層及び前記第2のフォトレジスト層を除去して開口を形成する工程と、前記開口に金属を充填する工程とを備えることを特徴とするデュアル・ダマスク技術。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 B
, H01L 21/90 C
