特許
J-GLOBAL ID：200903044292855918

積層セラミック基板の製造方法及び積層セラミック基板

発明者：
吉川 秀樹

吉川 秀樹 について

, 
野々上 寛

野々上 寛 について

, 
脇坂 健一郎

脇坂 健一郎 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 目次 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-103929
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294356
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 ガラスセラミック材料からなる誘電体層の上に銀からなる電極層を形成したセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより得られる積層セラミック基板において、電極層のマイグレーションによる短絡の不良の発生を低減する。 【解決手段】 焼成後の基板において誘電体層を挟み対向する電極層の対向面積が少なくとも一部の電極層で0.4mm2以下となるように、電極層を誘電体層の上に形成してセラミックグリーンシートを作製し積層する工程と、焼成後の基板における誘電体層と電極層の界面の凹凸の粗さRmaxが基準長さ100μm当たり6μm以下であり、かつ誘電体層の焼結密度が実質的に一定となる範囲内の温度で、グリーンシートを焼成する工程とを備えることを特徴としている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガラスセラミック材料からなる誘電体層の上に、銀からなる電極層を形成したセラミックグリーンシートを積層して焼成することにより積層セラミック基板を製造する方法であって、 焼成後の基板において前記誘電体層を挟み対向する前記電極層の対向面積が少なくとも一部の電極層で0.4mm2以下となるように、前記電極層を前記誘電体層の上に形成して前記セラミックグリーンシートを作製し積層する工程と、 焼成後の基板における前記誘電体層と前記電極層の界面の凹凸の粗さRmaxが基準長さ100μm当たり6μm以下であり、かつ前記誘電体層の焼結密度が実質的に一定となる範囲内の温度で、前記グリーンシートを焼成する工程とを備えることを特徴とする積層セラミック基板の製造方法。
IPC (1件)：
H05K3/46
FI (3件)：
H05K3/46 H ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 S
Fターム (22件)：
5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA23 ,  5E346AA32 ,  5E346AA35 ,  5E346BB01 ,  5E346BB11 ,  5E346BB15 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC18 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346FF18 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)

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