特許

J-GLOBAL ID：200903044317119006

炭化ケイ素半導体装置

発明者： 原田 信介 ,  八尾 勉 ,  福田 憲司 ,  岡本 光央 ,  安達 和広
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345551
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116605
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 本発明は、低濃度p型堆積膜により形成したチャネル領域、ならびに前記p型堆積膜の一部を表面からイオン注入による伝導型の反転により形成した低濃度n型ベース領域を有する炭化ケイ素半導体装置を提供する。【解決手段】 第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板1表面上に形成されている第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜2が形成されている。前記第1の堆積膜2上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2伝導型の高濃度ゲート領域からなる第2の堆積膜31と、前記第2の堆積膜31上に選択的に切り欠かれている前記第1の領域より幅が広い第2の領域と前記第1伝導型の高濃度ソース領域と第2伝導型の低濃度ベース領域からなる第3の堆積膜32とが形成されている。前記第3の堆積膜32の表面上に形成されたゲート絶縁膜が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板表面上に形成されている第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜と、 前記第1の堆積膜上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2伝導型の高濃度ゲート領域からなる第2の堆積膜と、 前記第2の堆積膜上に選択的に切り欠かれている前記第1の領域より幅が広い第2の領域と第1伝導型の高濃度ソース領域と第2伝導型の低濃度ゲート領域からなる第3の堆積膜と、 前記第1の堆積膜に接し、前記第1の領域および第2の領域に形成されている第1伝導型の低濃度ベース領域と、 少なくとも前記第3の堆積膜の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記第1伝導型の炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極と、 前記第1伝導型の高濃度ソース領域および第2伝導型の低濃度ゲート領域の一部に低抵抗接続されているソース電極と、 から構成されている炭化ケイ素半導体装置において、 前記第1伝導型の低濃度ベース領域内で、前記第2の領域の上には、第1伝導型の高濃度べース領域からなる第3の領域が形成されていることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652T