特許
J-GLOBAL ID：200903044337152131
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-093357
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298142
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 スピンバルブ構造のピン層、フリー層およびスペーサ層の材料物性を根本的に見直すことにより、大きな抵抗変化量を可能とした垂直通電型の磁気抵抗効果素子、およびこのような磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。【解決手段】 、負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された第1の強磁性体膜を含む磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第2の強磁性体膜を含む磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性中間層と、を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された一対の電極と、を備え、前記第1及び第2の強磁性体膜の少なくともいずれかは、スカンジウム(Sc)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、砒素(As)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、テクネチウム(Tc)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、レニウム(Re)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)及び白金(Pt)よりなる群から選択された少なくともいずれかを含むM1と、鉄(Fe)と、コバルト(Co)と、ニッケル(Ni)と、により組成式:(Fe<SB>a</SB>Co<SB>b</SB>Ni<SB>c</SB>)<SB>100-d</SB>M1<SB>d</SB> (但し、0≦a<100原子%、0≦b<100原子%、0≦c<100原子%、a+b+c=100、0.5原子%≦d<50原子%)で表される合金からなり、前記非磁性中間層は、クロム(Cr)またはルテニウム(Ru)の少なくともいずれかを含有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/12
, H01F 10/30
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 M
, G11B 5/39
, H01F 10/12
, H01F 10/30
, H01F 10/32
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034CA08
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049DB12
