特許
J-GLOBAL ID:200903087751591296

磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-035759
公開番号(公開出願番号):特開2001-298226
出願日: 2001年02月13日
公開日(公表日): 2001年10月26日
要約:
【要約】【課題】 製造工程が簡単で、かつ、良好な出力が得られる磁気変換素子、およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 薄膜磁気ヘッド1は、磁性層と非磁性層とを交互に積層した積層体20を有している。積層体20の積層方向における少なくとも一方側には、一定の方向に固定された磁化を有する磁化方向固定層33が設けられている。磁化方向固定層は、交換結合層33aと反強磁性層33bとを積層してなるものである。交換結合層33aと反強磁性層33bとの交換結合により生じる磁場により、積層体20の磁性層が単磁区化され、バルクハウゼンノイズが抑制される。
請求項(抜粋):
交互に積層された複数の磁性層と複数の非磁性層とを有する積層体と、この積層体の積層方向における少なくとも一方側に設けられ、磁性層の磁化の方向を制御する磁区制御層とを備えたことを特徴とする磁気変換素子。
IPC (5件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/12
FI (5件):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
引用特許:
審査官引用 (14件)
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