スピン・トランスファによる垂直磁化磁気素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-500779
公開番号（公開出願番号）：特表2007-525033
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

磁気メモリで使用することができる磁気素子を供給するための方法およびシステム。この方法およびシステムは、第1のピン留め層と、バリア層と、自由層と、導電非磁性スペーサ層と、第2のピン留め層とを作製するステップを含む。各ピン留め層はピン留め層容易軸を有する。ピン留め層容易軸の少なくとも一部は垂直方向を向いている。バリア層は第1のピン留め層と自由層の間に介在する。スペーサ層は自由層と第2のピン留め層の間に位置する。自由層は、自由層容易軸を有し、その少なくとも一部は垂直方向を向いている。磁気素子は、また、書き込み電流が磁気素子を流れた場合に、スピン・トランスファ効果により自由層を切り替えることができるように構成される。磁化が垂直方向を向いているので、スピン・トランスファのための書き込み電流を有意に低減することができる。

請求項（抜粋）：

磁気素子であって、第1のピン留め層容易軸を有する第1のピン留め層であって、該第1のピン留め層容易軸の少なくとも一部が垂直方向を向いている第1のピン留め層と、非磁性的であり、導電性であるスペーサ層と、自由層であって、前記スペーサ層が前記第1のピン留め層と前記自由層の間に介在し、前記自由層が自由層容易軸を有し、前記自由層容易軸の少なくとも一部が垂直方向を向いている自由層と、バリア層であって、絶縁体であり、前記バリア層をトンネリングすることができる厚さを有するバリア層と、第2のピン留め層容易軸を有する第2のピン留め層であって、前記第2のピン留め層容易軸の少なくとも一部が垂直方向を向いていて、前記バリア層が前記自由層と前記第2のピン留め層の間に位置する第2のピン留め層と、

IPC (5件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/12

FI (4件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/12

Fターム (22件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 5F092AA01 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC46

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気セル及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-396201 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果膜、それを備えたメモリ素子及びそれを用いたメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-245423 出願人：キヤノン株式会社
磁気メモリおよびその記録方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090495 出願人：シャープ株式会社

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