特許
J-GLOBAL ID：200903044428452472

埋込パターンの形成方法および磁気ヘッドの製造方法

発明者：
承▲埼▼ 韓

承▲埼▼ 韓 について

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茂民 陳

茂民 陳 について

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克▲強▼ 朱

克▲強▼ 朱 について


出願人/特許権者：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197612
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】【課題】 過研磨加工を行うことなく埋込パターンを高精度に形成可能な埋込パターンの形成方法およびこの方法を利用した磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】 リフトオフマスク40を用いて、エッチング処理により下部磁極11Bに溝42を形成すると共に、スパッタリングにより少なくとも溝42を埋め込むように非磁性埋込層50を形成する。続いて、リフトオフマスク40を除去(リフトオフ)することにより、溝42に埋め込まれた非磁性埋込層50の残存部分からなる非磁性埋込パターンを溝42に選択的に形成する。CMP処理を用いずに非磁性埋込パターンを形成可能になるため、CMP法を用いた場合の弊害が回避される。非磁性埋込パターンの厚み精度が向上すると共に、下部磁極11Bおよび非磁性埋込パターンの表面が全体に渡って平坦化される。
請求項（抜粋）：
基体上に形成された、上面を有する被覆層に、埋込パターンを形成する方法であって、前記被覆層の上面を覆うように、容易にエッチング可能な感光層を形成する第1の工程と、この感光層上に、フォトレジスト層を形成する第2の工程と、前記フォトレジスト層および前記感光層をパターニングすることにより、溝規定用のリフトオフマスクを形成する第3の工程と、このリフトオフマスクを用いて前記被覆層を所定の深さまでエッチングすることにより、前記被覆層に前記溝を形成する第4の工程と、前記リフトオフマスクを配設したまま、少なくとも前記溝を埋め込むように、前記所定の深さと等しい厚みだけ埋込層を形成する第5の工程と、前記リフトオフマスクと共にその上に配設されている埋込層を選択的に除去することにより、前記被覆層の厚みと等しい厚みとなるように、前記溝に前記埋込パターンを選択的に形成する第6の工程とを含むことを特徴とする埋込パターンの形成方法。
IPC (2件)：
G11B 5/31 ,  G03F 7/00
FI (2件)：
G11B 5/31 C ,  G03F 7/00
Fターム (17件)：
2H096AA27 ,  2H096CA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA27 ,  2H096HA28 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA25 ,  2H096LA01 ,  5D033AA01 ,  5D033BA01 ,  5D033BA07 ,  5D033CA05 ,  5D033DA02 ,  5D033DA07 ,  5D033DA31
引用特許：
審査官引用 (4件)
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