光電変換装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-091690
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289151
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】電子の授受がスムーズに行われ、変換効率が高い光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 n型の電荷輸送層、界面層、p型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、n型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、p型の電荷輸送層は電着でCu2Oを成長させることによって形成する。酸化亜鉛針状結晶は電着により成長させる。酸化亜鉛針状結晶は亜鉛若しくは酸化亜鉛若しくは亜鉛と酸化亜鉛との混合物を加熱することにより気化させ成長させる。n型の電荷輸送層は少なくとも一種類以上の微粒子を酸化亜鉛針状結晶上に吸着させる。微粒子は径が30nm以下である。界面層は界面層を溶解した溶液中にn型の電荷輸送層を浸積させることによって形成している。界面層は色素である。

請求項（抜粋）：

n型の電荷輸送層、界面層、p型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、前記n型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、前記p型の電荷輸送層は電着でCu2Oを成長させることによって形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01M 14/00

FI (2件)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

Fターム (14件)：

5F051AA14 , 5F051AA20 , 5F051CB27 , 5F051FA02 , 5F051FA04 , 5F051GA03 , 5H032AA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032BB05 , 5H032BB07 , 5H032EE02 , 5H032EE16 , 5H032HH04

引用特許：

審査官引用 (5件)

光電変換装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-268725 出願人：キヤノン株式会社
光電変換素子および光電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-256026 出願人：富士写真フイルム株式会社
金属酸化物ナノロッド
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-530293 出願人：プレジデントアンドフェローズオブハーバードカレッジ

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