特許
J-GLOBAL ID：200903044495746588
記憶素子及びメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-014509
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203064
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 記憶素子の膜構成を工夫することにより、多値化が可能となり、メモリの記憶容量の向上を可能にする記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する2層以上の記憶層17,19を有し、これらの記憶層17,19が非磁性の中間層18を介して積層され、それぞれ独立して磁化M1,M2の向きを変えることが可能であり、記憶層17,19に対して、非磁性の中間層16,20を介して磁化の向きが固定された磁化固定層31,21が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層17,19の磁化M1,M2の向きが変化して、記憶層17,19に対して情報の記録が行われ、各記憶層17,19の磁化量に有意差を持ち、かつ、各中間層16,18,20による磁気抵抗効果素子が、抵抗値又は磁気抵抗変化率に有意差を持っている記憶素子3を構成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を2層以上有し、
2層以上の前記記憶層は、非磁性の中間層を介して積層され、それぞれ独立して磁化の向きを変えることが可能であり、
2層以上の前記記憶層に対して、少なくとも一方の側に、非磁性の中間層を介して磁化の向きが固定された磁化固定層が設けられ、
積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、
各前記記憶層は、磁化量に有意差を持ち、
かつ、前記記憶層間の前記中間層と、前記記憶層と前記磁化固定層との間の中間層とにおいて、それぞれの前記中間層及び前記中間層の上下の強磁性層によって構成される磁気抵抗効果素子が、抵抗値又は磁気抵抗変化率に有意差を持っている
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, G11C 11/15
, H01L 43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083ZA21
