特許
J-GLOBAL ID：200903044497110508

半導体量子ドット・デバイス

発明者：
斎藤 英彰

斎藤 英彰 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209208
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023219
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 量子ドットの基底準位へのキャリアの緩和を促進して10GHz程度以上の広い変調帯域を実現できる量子ドット・デバイスを提供する。【解決手段】 アンドープ量子ドット1の近傍にp型半導体障壁層3を設け、p型半導体障壁層3内のホール4を量子ドット1の価電子帯の基底準位8に予め注入しておく。こうして量子ドット1の伝導帯の基底準位7の伝導電子5の閾電子密度を下げることにより、その伝導帯の励起準位6から基底準位7への電子5の緩和過程10を促進する。
請求項（抜粋）：
複数の量子ドットを備えた半導体量子ドット・デバイスにおいて、前記量子ドットがp型不純物を含んでおり、前記p型不純物は、前記量子ドットの内部にホールを生成していて、それらホールは前記量子ドットの価電子帯の基底準位にあることを特徴とする量子ドット・デバイス。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/06 601
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 29/06 601 D
Fターム (6件)：
5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA06 ,  5F073EA14
引用特許：
審査官引用 (5件)
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