特許
J-GLOBAL ID：200903013933548651

半導体素子

発明者：
向井 剛輝

向井 剛輝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-123539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308465
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子に関し、量子ドットを用いた半導体素子に於ける発光寿命の遅延を制御・抑制し、且つ、フォノン・ボトルネック現象を解消できる構成を実現させ、これに依って、半導体装置の特性を向上させようとする。【解決手段】 不純物を含有しない自己形成量子ドット2が不純物を含有したp型濡れ層1に接して形成されている。
請求項（抜粋）：
不純物を含有しない半導体量子ドットが不純物を含有した半導体層に接して形成されてなることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01S 5/34 ,  H01L 29/06 ,  H01S 5/183
FI (3件)：
H01S 5/34 ,  H01L 29/06 ,  H01S 5/183
Fターム (7件)：
5F073AA46 ,  5F073AA75 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA11 ,  5F073EA14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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