特許
J-GLOBAL ID：200903044504248766
球状半導体素子の電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡村 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089071
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274439
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】粒状の球状半導体素子に正負の電極を形成する量産技術を提供し、設備費も含めて電極形成の費用を低減する。【解決手段】 pn接合7とp形半導体の球状結晶2とを含む太陽電池セルを構成する為の球状半導体素子11の表面に正電極用コンタクトホール12と負電極用コンタクトホール13を形成し、この球状半導体素子11をメッキ液23中に浸漬し、光を照射しない状態で無電解メッキ処理して、正電極用コンタクトホール12内に球状結晶2のp形半導体に結合された正電極15を形成する。次に球状半導体素子11を別のメッキ液に浸漬し、白色光を照射して光起電力を発生させつつ、無電解メッキ処理により負電極用コンタクトホール13に負電極を形成する。
請求項（抜粋）：
p形半導体の球状結晶の表面部にn形拡散層とpn接合とを含む光起電力発生部が形成されるとともに表面を絶縁体又は半導体からなる光透過性の被膜で被覆してなる球状半導体素子の表面部分に、球状結晶の中心挟んで対向する1対の電極を形成する方法において、前記1対の電極を形成する部位の前記被膜を除去して、p形半導体の球状結晶を露出させた正電極用コンタクトホールと、n形拡散層を露出させた負電極用コンタクトホールを形成する第1工程と、前記球状半導体素子を金属イオンを含む第1のメッキ液に浸漬し、光を照射しない状態で無電解メッキ処理し正電極用コンタクトホールに正電極を形成する第2工程と、前記球状半導体素子を金属イオンを含む第2のメッキ液に浸漬し、光を照射した状態で無電解メッキ処理し負電極用コンタクトホールに負電極を形成する第3工程と、を備えたことを特徴とする球状半導体素子の電極形成方法。
IPC (4件)：
H01L 31/04
, H01L 21/02
, H01L 21/288
, H01L 29/41
H01L 21/02 B
, H01L 21/288 Z
, H01L 31/04 H
, H01L 29/44 Z
4M104AA01
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB09
, 4M104DD53
, 4M104GG01
, 4M104HH20
, 5F051AA03
, 5F051BA14
, 5F051CB01
, 5F051CB20
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051FA11
