特許
J-GLOBAL ID：200903044507772890

半導体力センサ

発明者：
広瀬 茂

広瀬 茂 について

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沢村 博之

沢村 博之 について

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安藤 正人

安藤 正人 について

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本木 幹三

本木 幹三 について


出願人/特許権者：
北陸電気工業株式会社

北陸電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-128409
公開番号（公開出願番号）：特開2004-004069
出願日： 2003年05月06日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】ダイアフラム部が破損するのを防ぐことができ、しかもダイアフラム部と直交する方向に加わる力を正確に測定できる半導体力センサを提供する。【解決手段】半導体力センサ素子31のダイアフラム部37に測定の対象となる力を加えるための力伝達手段を剛性を有する球体33により構成する。対向壁部55のダイアフラム部37の中心部と対向する位置に、ダイアフラム部37に向かう方向に対向壁部55を貫通する貫通孔63を形成する。貫通孔63は、球体33の一部を対向壁部55の外部に臨ませ、球体33がダイアフラム部37と直交する方向にのみ移動可能で且つ球体33がダイアフラム部37の中心部上で回動し得るように球体33の残部の一部を収容する形状を有するように形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ピエゾ抵抗効果を利用して力の変化を電気信号の変化に変換する変換部を備えたダイアフラム部を有する半導体力センサ素子と、 前記半導体力センサ素子の前記ダイアフラム部に測定の対象となる力を加えるための力伝達手段と、 前記ダイアフラム部との間に間隔を開け且つ前記ダイアフラム部と対向するように配置される対向壁部を備えて、前記力伝達手段を前記ダイアフラム部の中心部に直接接触させるように、前記力伝達手段を位置決め配置する力伝達手段位置決め構造とを具備し、 前記力伝達手段が剛性を有する球体により構成されている半導体力センサであって、 前記力伝達手段位置決め構造の前記対向壁部には、前記ダイアフラム部の前記中心部と対向する位置に前記ダイアフラム部に向かう方向に前記対向壁部を貫通する貫通孔が形成されており、 前記貫通孔は、前記球体の一部を前記対向壁部の外部に臨ませ、前記球体が前記ダイアフラム部と直交する方向にのみ移動可能で且つ前記球体が前記ダイアフラム部の前記中心部上で回動し得るように前記球体の残部の一部を収容する形状を有していることを特徴とする半導体力センサ。
IPC (2件)：
G01L1/18 ,  H01L29/84
FI (2件)：
G01L1/18 A ,  H01L29/84 B
Fターム (18件)：
4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112CA16 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112EA14 ,  4M112FA01 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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