特許
J-GLOBAL ID：200903044520999631

半導体分布ブラッグ反射器、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光インターコネクションシステム、および光通信システム

発明者：
軸谷 直人

軸谷 直人 について

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佐藤 俊一

佐藤 俊一 について

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高橋 孝志

高橋 孝志 について

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伊藤 彰浩

伊藤 彰浩 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082482
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359433
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】【課題】 電気抵抗を低減した半導体分布ブラッグ反射器、動作電圧の低減,素子発熱の低減,高出力化,高速変調等特性の優れた面発光レーザ素子、低消費電力で高速変調可能な面発光半導体レーザアレイ、高速伝送可能な信頼性の高い光インターコネクションシステム、高速で信頼性の高い光通信システムの提供。【解決手段】 半導体分布ブラッグ反射器を構成するバンドギャップエネルギーの異なる半導体層11,13の間に中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層12を設けた。ヘテロスパイク緩衝層12は価電子帯エネルギーを連続的または階段状の組成傾斜層またはこれらの組み合わせによって構成され、バンドギャップエネルギーの小さな層(半導体層11)に接する側に価電子帯エネルギーの変化率の大きな領域を、バンドギャップエネルギーの大きな層(半導体層13)に接する側に価電子帯エネルギーの変化率の小さな領域を備えている。
請求項（抜粋）：
半導体分布ブラッグ反射器を構成する主体層であるバンドギャップエネルギーの異なる2種の半導体層と、該2種の半導体層の間に、これらの中間の価電子帯エネルギーを持つヘテロスパイク緩衝層とによって構成された半導体分布ブラッグ反射器であって、前記ヘテロスパイク緩衝層が、価電子帯エネルギーを連続的に変化させた組成傾斜層、または階段状に変化させた複数の層から構成された階段状組成傾斜層、またはこれらの組み合わせによって構成され、当該半導体分布ブラッグ反射器を構成する主体層のうちバンドギャップエネルギーの小さな層に接する側に価電子帯エネルギーの変化率の大きな領域(以下、領域Iという)を、当該半導体分布ブラッグ反射器を構成する主体層のうちバンドギャップエネルギーの大きな層に接する側に価電子帯エネルギーの変化率の小さな領域(以下、領域IIという)を備えていることを特徴とする半導体分布ブラッグ反射器。
IPC (3件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/343 610
Fターム (21件)：
5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA27 ,  5F073EA14 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (7件)
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