特許
J-GLOBAL ID：200903044524326879

半導体装置およびその製造方法

発明者：
石田 裕之

石田 裕之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310923
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079486
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 実装部品が傾くことによる位置ずれを低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 接着領域20aには配線領域30a,30dが、接着領域20bには配線領域30b,30cが、それぞれ延設されている。ここで、配線領域30dは、配線としての機能は有さない、半田を流出させるためのダミー配線であってよい。ダイボンディング領域としての接着領域20a,20bは、互いに線対称な位置で、所定の距離を空けて左右に配置されている。また、配線領域30a,30dは、互いに線対称な位置で、それぞれ接着領域20aの上下で延設されている。同様に、配線領域30c,30bは、線対称な位置で、それぞれ接着領域20bの上下で延設されている。この延在パターンとしての配線領域30a〜30dは、ダイボンディング領域としての接着領域20a,20bの四隅から延在するような形状で形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体チップをボンディングするための矩形状のダイボンディング領域及び前記ダイボンディング領域の四隅から延在する延在パターンを有する被ボンディング板を準備する工程と、 前記ダイボンディング領域上に半田を供給する工程と、 前記半田を加熱し溶融させる工程と、 前記半田上に前記半導体チップを所定の圧力で押圧し前記半導体チップの下面からはみ出した半田を前記延在パターンへ流動させる工程と を備える半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H01L21/52
FI (2件)：
H01L23/12 F ,  H01L21/52 A
Fターム (2件)：
5F047AA11 ,  5F047AA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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