特許
J-GLOBAL ID:200903044525883062

反射防止膜用組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-276572
公開番号(公開出願番号):特開平10-120939
出願日: 1996年10月18日
公開日(公表日): 1998年05月12日
要約:
【要約】【課題】 反射光防止効果が高く、レジストに比べて大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜を与え得る反射防止膜用組成物およびそれを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 特定の繰り返し単位を構成成分とする高分子を吸光剤成分として含む反射防止膜用組成物およびこの組成物を用いたレジストパタ-ンの形成方法が提供される。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)、(2)および(3)で表される繰り返し単位からなる群から選択される少なくとも一種の繰り返し単位(a)を構成成分とする高分子を吸光剤成分として含むことを特徴とする反射防止膜用組成物。【化1】(上記式中,R1は水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、ハロゲン原子またはシアノ基を表し;R2およびR3は,同一または異って、水素原子、炭素数1〜20の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、-OHまたは-SHを表し;Xは2価の基を表し;P1およびP2は,同一または異って、炭素数5〜14の芳香族基を表し;Y1およびY2は,同一または異って,電子供与性基,ハロゲン原子を表し;mおよびnは,同一または異って,0〜3の整数を表し,mおよびnが各々2または3の場合、複数個のY1およびY2は,各々同一または異っていてもよく;Qは酸素原子、-CO-、イオウ原子、-NR’-(ここで,R’は水素原子または炭素数1〜20のアルキル基を表す)、単結合またはアルキレン基を表す。)
IPC (6件):
C09D 5/00 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  C08F 12/26 ,  C08L 25/18
FI (6件):
C09D 5/00 M ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/11 503 ,  C08F 12/26 ,  C08L 25/18 ,  H01L 21/30 574
引用特許:
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る