特許

J-GLOBAL ID：200903044576971373

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 杉山 寿伸 ,  荒瀬 謙士郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296193
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144807
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 非選択メモリセルの誤書き込み、誤消去を防止でき、信頼性の向上が図れる不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 AND型メモリセルアレイにおいて、消去はブロック一括で行い、選択メモリブロックの基板に正の高電圧(18V)を印加し、FNトンネリングによりフローティングゲートからチャネル領域に電子を引き抜き、書き込みはワード線毎に行い、選択ワード線に正の電圧(12V)、非選択ワード線に0Vの電圧、書き込みデータのビット線に0Vの電圧、非書き込みデータのビット線に、正の電圧(10V)を印加して行うので、書き込みメモリセルではFNトンネリングによりチャネル領域からフローティングゲートに電子が注入され、選択ワード線上の非書き込みメモリセルおよび非選択ワード線上のメモリセルでは、誤書き込みを防止できる。

請求項（抜粋）：

ビット線、ソース線とも主配線と副配線とに階層化され、それぞれ主配線と副配線とが動作に応じて選択的に接続され、かつ副ソース線と副ビット線間に電荷蓄積層を有するメモリセルが並列接続され、データの書き込みは、ファウラー・ノルドハイムトンネリングにより、チャネル全面から上記電荷蓄積層中に電荷を注入することによりワード線毎に行う半導体不揮発性記憶装置であって、データ書き込み時に、選択ワード線に正の第1の電圧を印加し、非選択ワード線にメモリセルが導通しない第2の電圧を印加する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 621 B ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-187580   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172956   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-072671
  
• 不揮発性半導体記憶装置およびデータ書き込み方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-195828   出願人：株式会社東芝