特許
J-GLOBAL ID：200903017708729162
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172956
公開番号（公開出願番号）：特開平8-036890
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】単一電源で動作可能で、しかも完全な1トランジスタメモリタイプのセル面積の小さい半導体不揮発性記憶装置を実現する。【構成】ビット線、ソース線とも主配線と副配線とに階層化され、それぞれ主配線と副配線とが動作に応じて選択的に接続され、かつ副ソース線と副ビット線間にメモリセルが並列接続された半導体不揮発性記憶装置において、データの書き込みは、FNトンネリングにより、チャンネル全面からフローティングゲート中に電子を注入することにより行い、消去はFNトネリングによりドレイン側からフローティングゲート中の電子を引き抜くことにより行う。たとえば、書き込み時は選択ワード線WL2に22V、非選択のワード線WL1,WL3〜WL32に中間電圧11Vを印加し、消去時は選択されたワード線WL2に負電圧-14Vを印加し、全ビット線に電源電圧3.3Vを印加する。
請求項（抜粋）：
ビット線、ソース線とも主配線と副配線とに階層化され、それぞれ主配線と副配線とが動作に応じて選択的に接続され、かつ副ソース線と副ビット線間にメモリセルが並列接続された半導体不揮発性記憶装置であって、データの書き込みは、FNトンネリングにより、チャンネル全面から電荷蓄積層中に電荷を注入することにより行い、消去はFNトンネリングによりドレイン側から電荷蓄積層中の電荷を引き抜くことにより行う半導体不揮発性記憶装置。
IPC (9件)：
G11C 16/02
, G11C 16/04
, G11C 16/06
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 D
, G11C 17/00 530 D
, H01L 27/04 F
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
