特許
J-GLOBAL ID：200903044601892491

選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法

発明者：
秋 昌 熊

秋 昌 熊 について

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安 太 赫

安 太 赫 について

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鄭 相 燮

鄭 相 燮 について

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金 智 洙

金 智 洙 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221296
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068462
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法及びこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】 所定のフォトレジストパターンをマスクとして基板上の絶縁膜をプラズマを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、(a)前記フォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を所定時間プラズマエッチングする段階と、(b)前記フォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、(c)前記フォトレジストパターン及び前記ポリマー層をマスクとして前記絶縁膜をプラズマエッチングする段階とを含むことを特徴とする選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法である。
請求項（抜粋）：
所定のフォトレジストパターンをマスクとして基板上の絶縁膜をプラズマを用いてエッチングするプラズマエッチング方法であって、(a)前記フォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜を所定時間プラズマエッチングする段階と、(b)前記フォトレジストパターンの上部にポリマーを選択的に蒸着してポリマー層を形成する段階と、(c)前記フォトレジストパターン及び前記ポリマー層をマスクとして前記絶縁膜をプラズマエッチングする段階とを含むことを特徴とする、選択的ポリマー蒸着を用いたプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 C
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (16件)
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