特許

J-GLOBAL ID：200903095511950836

酸化物層のエッチング方法

発明者： ジェイムズ・イー・ナルティ
出願人/特許権者： サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344698
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027483
出願日： 1995年12月07日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 アスペクト比従属性エッチング効果が小さく、高い酸化物対窒化物択性が得られ、他のエッチング特性とのトレードオフのない酸化物層のエッチング方法を提供する。【解決手段】 基板上に設けた酸化物層上に感光層を形成し、その感光層に酸化物層の一部を露出させるための第1の開口を形成し、基板をプラズマに曝して、露出させた酸化物層の部分をエッチングするとともに、感光層上に第1の層を形成する。

請求項（抜粋）：

酸化物層をエッチングする方法におて、上記酸化物層を支持するための基板を用意するステップと、上記酸化物層上に感光層を形成するステップと、上記酸化物層の一部を露出させるための第1の開口を上記感光層に形成するステップと、上記基板をプラズマに曝し、そのプラズマによって、上記ステップで露出させた上記酸化物層の部分をエッチングするとともに、上記感光層上に第1の層を形成するステップと、を具備した方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/40 521

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 A ,  G03F 7/40 521

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エッチングの後処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-354411   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• 特開昭57-099745
  
• エッチング処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319057   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社