金属ケイ化物膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237874
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090577
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】マグネトロンスパッタリングによる金属ケイ化物膜の形成法において膜厚分布及び膜組成比分布のばらつきをなくし、しかも比抵抗値を小さくして高品位の膜が得られるようにすること。【構成】カソードの裏側に設けた複数の電磁石コイルに予定の周期をもった電流を流して金属ケイ化物ターゲットのエロージョン領域を周期的に制御すると共に、スパッタ電源を成す直流電源の出力を電磁石コイルに流す電流に同期させて制御すること。

請求項（抜粋）：

金属ケイ化物ターゲットをカソードし、マグネトロンスパッタリングにより基板上に金属ケイ化物膜を形成する方法において、カソードの裏側に設けた複数の電磁石コイルに予定の周期をもった電流を流して金属ケイ化物ターゲットのエロージョン領域を周期的に制御すると共に、スパッタ電源を成す直流電源の出力を電磁石コイルに流す電流に同期させて制御することを特徴とする金属ケイ化物膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/35 , C23C 14/06

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平2-166276
特開平2-247379
特開昭58-003976

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審査官引用 (3件)

特開平2-166276
特開平2-247379
特開昭58-003976

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