ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-100417
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、高感度で、0.2μm以下の高解像力を有し、かつ矩形形状を有し、更に二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。【解決手段】少なくとも式(I)で示されるシロキサン構造単位{式)中、Lは単結合又はアリーレン基を表す。Aは芳香環又は脂環構造を表し、それぞれ置換基を有していてもよい。nは1〜6の整数を表す}と、酸で分解してアルカリ可溶性基を発生させる基をもつシロキサン構造単位とを含有するポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】

請求項（抜粋）：

少なくとも下記一般式(I)で示されるシロキサン構造単位と、酸で分解してアルカリ可溶性基を発生させる基をもつシロキサン構造単位とを含有するポリシロキサンを含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、Lは単結合又はアリーレン基を表す。Aは芳香環又は脂環構造を表し、それぞれ置換基を有していてもよい。nは1〜6の整数を表す。

IPC (3件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

Fターム (23件)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB08 , 2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB17 , 2H025CB33 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CB52 , 2H025CC20 , 2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

ポリシロキサン化合物及びポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-270580 出願人：信越化学工業株式会社
感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-012665 出願人：富士写真フイルム株式会社
特開平4-188102

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